美光发布第五代3D NAND闪存倒顺开关
据美媒Anandtech报道,美光日前宣布了其第五代套装3D NAND闪存,新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出,新型176L闪定制产品存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品,此后美光从浮栅( floating-gate)存储单元设计转变为电荷陷阱(charge-trap)单元。
美光公司的上一代3D NAND采用的是128层设计,这是它们的短暂过渡节点,可帮助他们解决向陷阱闪存切换碰到的任何问题。美光的128L闪存在市场上的占有率极低,因此在许多情况下,他们的新型176L闪存也将替代其96L 3D NAND。
根据报道,美光并没有披露其176L NAND的更多技术细节。但就目前而言,我们知道他们的第一个176L部件是使用两个88层平台的字符串堆叠(string stacking )构建的512Gbit TLC芯片,就可以制造多少层NAND闪存单元而言,美光现在似乎仅次于三星。
报道进一步指出,在使用电荷陷阱单元设计替代栅极设计之后,美光似乎已大大降低了闪存每一层的厚度。数据显示,176L裸片的厚度仅为45μm,总厚度与美光公司的64L浮栅3D NAND相同。
而一个16 die堆叠式封装的厚度不到1.5mm,这适合大多数移动和存储卡使用场景。与上一代的Micron 3D NAND一样,芯片的外围逻辑大部分是在NAND存储单元堆栈下制造的,Micron将该技术称为“CMOS under Array”(CuA)。这帮助美光带来了一些最小的裸片尺寸,美光估计他们的176L 512Gbit裸片岩棉制品比其竞争对手目前提供的最佳裸片小约30%。
从报道我们还可以看到,美光的176L NAND支持的接口速度为1600MT / s,高于其96L和128L闪存的1200MT / s。比其他解决方案高33%。就容量而言,176层管芯可以容纳20-30小时的1920x1080p视频,。
与96L NAND相比,读(写)延迟改善了35%以上,与128L NAND相比,改善了25%以上。与使用96L NAND的UFS 3.1模块相比,美光科技的总体混合工作负载改善了约15%。
美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工厂制造,并已经开始批量生产,并且已经在一些Crucial品牌的消费类SSD产品中发货。但是,美光尚未说明哪些特定Crucial产品现在正在使用176L NAND(就此而言,则使用其128L NAND),因此我们希望目前这是一个相当小批量的产品。
尽管如此,在明年,我们应该能看到美光176L NAND的产量提高到比其128L工艺所能达到的更高的水平,并且我们可以期电子设备望发布基于此176L NAND的各种各样的产品,并取代大多数使用其96L NAND的产品。
美光方面表示,公司的176层NAND具有里程碑式的意义,这有几个原因。一方面,该技术的密度是早期3D NAND设计的近10倍,这就意味着智能手机可以做更多的事情,可以存储更多的东西;其次,对于更多的人来说价格甚至更低,从而改善了他们的日常生活。
他们进一步支持,这种新型176层器件不仅比以前的器件密度更高,而且还通过创新的电路设计融合了业界最高的数据传输速率。美光公司的工程师设计并建造了这种超高密度存储,同时对NAND进行了重大的架构更改,这将使下游设备的创新在未来数年内得以实现。
责任编辑:tzh
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